Hersteller Produktnummer:
2N5306 TIN/LEAD
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
2N5306 TIN/LEAD-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25 V 300 mA 60MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
4598 Stück Neu Original Auf Lager
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2N5306 TIN/LEAD Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
7000 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
60MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
-1583-2N5306TIN/LEAD
-2N5306
-2N5306 TIN/LEAD
1514-2N5306TIN/LEAD
2N5306CS
-2N5306-DG
2N5306CS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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